Recently, Fudan University Institute of Microelectronics Professor Zhang Wei and Zhou Peng team developed a subversive two-dimensional semiconductor quasi-nonvolatile storage prototype device, to create a third type of storage technology, and solve a compatibility problem of "entry speed" and "nonvolatile" in the international semiconductor charge storage technology. 

　　At present, there are two main types of semiconductor charge storage technology; Type 1 is volatile storage, such as the computer memory, to enter data in a few nanoseconds, but the data disappears immediately after power failure; Type 2 is non-volatile storage, such as the USB flash disk which takes several microseconds to dozens of microseconds to save the data, but store it for 10 years after data entry without extra energy.

　　New charge storage technology bears the features for the new Type 3 storage: entry speed is 10,000 times faster than current USB flash disk, with the time of data refresh 156 times more than memory technology, plus excellent regulation, to design the storage structure as per effective time need of data. It both satisfies the data entry speed of 10 nanoseconds, and realizes on-demand customization (10 seconds to 10 years), as well as regulable data quasi-nonvolatile characteristics, to greatly reduce storage power consumption in high-speed memory, realize natural disappear of data after expiration of the data validity period, and resolve the contradictions of confidentiality and transmission for some special application scenarios.